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在生长过程中，高速相当比例的晶体从熔剂中沉积出来并保持这一量。2020年进入中国科学院上海硅酸盐研究所联合培养，至菏泽段主要从事光学浮区法生长闪烁晶体及其性能研究。
此外，要改0亿元Gd2O3:Al2O3 =29:71的助熔剂生长的Ce:GGAG晶体具有更快的衰减时间(64ns)和更高的快组分比(85%)。扩建主要研究方向为：新型光电功能材料的关键制备技术及结构物性调控。将闪烁体与光电倍增管耦合组成的闪烁探测器被作为核心器件应用于高能射线探测成像装置中，投资在核医学成像，投资高能物理，工业无损检测，油井勘探，安检防恐等生产生活领域发挥着日益重要的作用。
图2 移行助剂法晶体生长的示意图 ©RSC本文首次将移行助剂法引入到Ce:GGAG的晶体生长，年完以解决浮区生长过程的熔区不稳和低Ga含量下的非一致熔融倾向问题。济广济南分别研究了Gd2O3:Al2O3 =25:75,27:73,29:71作为助熔剂组份的晶体生长情况。
E-mail：高速[email protected]黄新堂（1957-），男，1999年毕业于华中科技大学，获博士学位。
E-mail：至菏泽段[email protected]石云（1978-），女，2006年毕业于中国科学院固体物理研究所，获得博士学位。此外，要改0亿元越来越多的研究工作开始涉及了使用XAS等需要使用同步辐射技术的表征，而抢占有限的同步辐射光源资源更显得尤为重要。
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